IMW120R060M1HXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMW120R060M1HXKSA1 | IMW120R060M1HXKSA1 Inventory, Best Pricing

IMW120R060M1HXKSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IMW120R060M1HXKSA1
LIXINC Part #	IMW120R060M1HXKSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IMW120R060M1HXKSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IMW120R060M1HXKSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IMW120R060M1HXKSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolSiC™
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	1.2 kV
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	36A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	15V, 18V
rds op (max) @ id, vgs:	78mOhm @ 13A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 5.6mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	31 nC @ 18 V
vgs (max):	+23V, -7V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1.06 nF @ 800 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	150W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	PG-TO247-3-41
pakket / koffer:	TO-247-3