FDD10N20LZTM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD10N20LZTM

FDD10N20LZTM

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FDD10N20LZTM
LIXINC Part #	FDD10N20LZTM
Fabrikant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FDD10N20LZTM PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 06 - Oct 10 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FDD10N20LZTM Specificaties

Onderdeel nummer:	FDD10N20LZTM
Merk:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	UniFET™
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	200 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	7.6A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	585 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	83W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	DPAK
pakket / koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63