IPN80R3K3P7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPN80R3K3P7ATMA1 | IPN80R3K3P7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPN80R3K3P7ATMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPN80R3K3P7ATMA1
LIXINC Part #	IPN80R3K3P7ATMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPN80R3K3P7ATMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 24 - Sep 28 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPN80R3K3P7ATMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPN80R3K3P7ATMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™ P7
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	800 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	1.9A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	3.3Ohm @ 590mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 30µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	5.8 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	120 pF @ 500 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	6.1W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-SOT223
pakket / koffer:	TO-261-3