RMD1N25ES9 | Rectron USA RMD1N25ES9 | RMD1N25ES9 Inventory, Best Pricing

RMD1N25ES9

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	RMD1N25ES9
LIXINC Part #	RMD1N25ES9
Fabrikant	Rectron USA
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CHANNEL 25V 1.1A SOT363
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	RMD1N25ES9 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 10 - Oct 14 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

RMD1N25ES9 Specificaties

Onderdeel nummer:	RMD1N25ES9
Merk:	Rectron USA
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rectron USA
serie:	-
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	25 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	1.1A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	2.5V, 4.5V
rds op (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.1V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±12V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	30 pF @ 10 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	800mW (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	SOT-363
pakket / koffer:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363