SCTW35N65G2V | STMicroelectronics SCTW35N65G2V | SCTW35N65G2V Inventory, Best Pricing

SCTW35N65G2V

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	SCTW35N65G2V
LIXINC Part #	SCTW35N65G2V
Fabrikant	STMicroelectronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	SCTW35N65G2V PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 08 - Oct 12 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

SCTW35N65G2V Specificaties

Onderdeel nummer:	SCTW35N65G2V
Merk:	STMicroelectronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	STMicroelectronics
serie:	Automotive, AEC-Q101
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	650 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	45A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	18V, 20V
rds op (max) @ id, vgs:	67mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 1mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	73 nC @ 20 V
vgs (max):	+22V, -10V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1370 pF @ 400 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	240W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 200°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	HiP247™
pakket / koffer:	TO-247-3