TK39J60W5,S1VQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK39J60W5,S1VQ

TK39J60W5,S1VQ

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	TK39J60W5,S1VQ
LIXINC Part #	TK39J60W5,S1VQ
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	TK39J60W5,S1VQ PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 07 - Oct 11 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

TK39J60W5,S1VQ Specificaties

Onderdeel nummer:	TK39J60W5,S1VQ
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	DTMOSIV
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	600 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	38.8A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 1.9mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	135 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	4100 pF @ 300 V
fet-functie:	Super Junction
vermogensdissipatie (max):	270W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	TO-3P(N)
pakket / koffer:	TO-3P-3, SC-65-3