AIMW120R045M1XKSA1 | IR (Infineon Technologies) AIMW120R045M1XKSA1 | AIMW120R045M1XKSA1 Inventory, Best Pricing

AIMW120R045M1XKSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	AIMW120R045M1XKSA1
LIXINC Part #	AIMW120R045M1XKSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	TRANS SJT N-CH 1200V 52A TO247-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	AIMW120R045M1XKSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 06 - Oct 10 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

AIMW120R045M1XKSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	AIMW120R045M1XKSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	Automotive, AEC-Q101, CoolSiC™
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
afvoer naar bronspanning (vdss):	1200 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	52A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	-
rds op (max) @ id, vgs:	59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 10mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	57 nC @ 15 V
vgs (max):	+20V, -7V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	2130 pF @ 800 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	228W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	PG-TO247-3
pakket / koffer:	TO-247-3