IMZ120R045M1XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMZ120R045M1XKSA1 | IMZ120R045M1XKSA1 Inventory, Best Pricing

IMZ120R045M1XKSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IMZ120R045M1XKSA1
LIXINC Part #	IMZ120R045M1XKSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IMZ120R045M1XKSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 10 - Oct 14 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IMZ120R045M1XKSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IMZ120R045M1XKSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolSiC™
pakket:	Tray
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	1200 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	52A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	15V
rds op (max) @ id, vgs:	59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 10mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	52 nC @ 15 V
vgs (max):	+20V, -10V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1900 pF @ 800 V
fet-functie:	Current Sensing
vermogensdissipatie (max):	228W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	PG-TO247-4-1
pakket / koffer:	TO-247-4