IRFHM8337TRPBF-IR | Rochester Electronics IRFHM8337TRPBF-IR | IRFHM8337TRPBF-IR Inventory, Best Pricing

IRFHM8337TRPBF-IR

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IRFHM8337TRPBF-IR
LIXINC Part #	IRFHM8337TRPBF-IR
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IRFHM8337TRPBF-IR PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 09 - Oct 13 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IRFHM8337TRPBF-IR Specificaties

Onderdeel nummer:	IRFHM8337TRPBF-IR
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	30 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	12A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	-
rds op (max) @ id, vgs:	12.4mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	8.1 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	755 pF @ 15 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	2.8W (Ta), 25W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
pakket / koffer:	8-PowerVDFN