FDI045N10A | Rochester Electronics FDI045N10A | FDI045N10A Inventory, Best Pricing

FDI045N10A

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FDI045N10A
LIXINC Part #	FDI045N10A
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FDI045N10A PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 06 - Oct 10 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FDI045N10A Specificaties

Onderdeel nummer:	FDI045N10A
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	PowerTrench®
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	100 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	120A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	74 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	5.27 pF @ 50 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	263W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	I2PAK (TO-262)
pakket / koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA