TK8R2A06PL,S4X | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK8R2A06PL,S4X

TK8R2A06PL,S4X

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	TK8R2A06PL,S4X
LIXINC Part #	TK8R2A06PL,S4X
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 60V 50A TO220SIS
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	TK8R2A06PL,S4X PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 06 - Oct 10 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

TK8R2A06PL,S4X Specificaties

Onderdeel nummer:	TK8R2A06PL,S4X
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSIX-H
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	60 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	50A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	11.4mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 300µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	28.4 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1990 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	36W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	175°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	TO-220SIS
pakket / koffer:	TO-220-3 Full Pack