2SJ266-DL-E | Rochester Electronics 2SJ266-DL-E | 2SJ266-DL-E Inventory, Best Pricing

2SJ266-DL-E

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	2SJ266-DL-E
LIXINC Part #	2SJ266-DL-E
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - rf
Beschrijving	PCH 4V DRIVE SERIES
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	2SJ266-DL-E PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 21 - Sep 25 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

2SJ266-DL-E Specificaties

Onderdeel nummer:	2SJ266-DL-E
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	*
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
transistor type:	-
frequentie:	-
verdienen:	-
spanning - testen:	-
stroomsterkte (ampère):	-
lawaai figuur:	-
huidige - test:	-
vermogen:	-
spanning - nominaal:	-
pakket / koffer:	-
apparaatpakket leverancier:	-

STAC2942BW	TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B	842 Meer over bestellen
BLC8G27LS-210PVY	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513	980 Meer over bestellen
BF904A,215	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143	3801 Meer over bestellen
BF2040E6814	RF N-CHANNEL MOSFET	10711 Meer over bestellen
BLM7G1822S-80PBGY	RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122	902 Meer over bestellen
MRF6VP3091NBR1	FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4	821 Meer over bestellen
BLS7G3135L-350P,11	RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A	892 Meer over bestellen
BLF9G38LS-90PU	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT1121B	907 Meer over bestellen
NE3512S02-T1C-A	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	6369 Meer over bestellen
WP2806045UH	RF GAN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 45W	810 Meer over bestellen
NPT1012B	HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ	851 Meer over bestellen
ARF461BG	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	938 Meer over bestellen
CGH40025F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	1508 Meer over bestellen