SI7911DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI7911DN-T1-GE3 | SI7911DN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI7911DN-T1-GE3

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	SI7911DN-T1-GE3
LIXINC Part #	SI7911DN-T1-GE3
Fabrikant	Vishay / Siliconix
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - arrays
Beschrijving	MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	SI7911DN-T1-GE3 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 26 - Sep 30 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

SI7911DN-T1-GE3 Specificaties

Onderdeel nummer:	SI7911DN-T1-GE3
Merk:	Vishay / Siliconix
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - arrays
Fabrikant:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	2 P-Channel (Dual)
fet-functie:	Logic Level Gate
afvoer naar bronspanning (vdss):	20V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	4.2A
rds op (max) @ id, vgs:	51mOhm @ 5.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	15nC @ 4.5V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	-
vermogen - max:	1.3W
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	PowerPAK® 1212-8 Dual
apparaatpakket leverancier:	PowerPAK® 1212-8 Dual