SIZ900DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIZ900DT-T1-GE3 | SIZ900DT-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIZ900DT-T1-GE3

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	SIZ900DT-T1-GE3
LIXINC Part #	SIZ900DT-T1-GE3
Fabrikant	Vishay / Siliconix
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - arrays
Beschrijving	MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	SIZ900DT-T1-GE3 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 25 - Sep 29 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

SIZ900DT-T1-GE3 Specificaties

Onderdeel nummer:	SIZ900DT-T1-GE3
Merk:	Vishay / Siliconix
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - arrays
Fabrikant:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet-functie:	Logic Level Gate
afvoer naar bronspanning (vdss):	30V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	24A, 28A
rds op (max) @ id, vgs:	7.2mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	45nC @ 10V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1830pF @ 15V
vermogen - max:	48W, 100W
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	6-PowerPair™
apparaatpakket leverancier:	6-PowerPair™