SIZF906DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIZF906DT-T1-GE3 | SIZF906DT-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIZF906DT-T1-GE3

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	SIZF906DT-T1-GE3
LIXINC Part #	SIZF906DT-T1-GE3
Fabrikant	Vishay / Siliconix
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - arrays
Beschrijving	MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	SIZF906DT-T1-GE3 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

SIZF906DT-T1-GE3 Specificaties

Onderdeel nummer:	SIZF906DT-T1-GE3
Merk:	Vishay / Siliconix
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - arrays
Fabrikant:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET® Gen IV
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet-functie:	Standard
afvoer naar bronspanning (vdss):	30V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	60A (Tc)
rds op (max) @ id, vgs:	3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
vermogen - max:	38W (Tc), 83W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TA)
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	8-PowerWDFN
apparaatpakket leverancier:	8-PowerPair® (6x5)