FF8MR12W2M1B11BOMA1 | IR (Infineon Technologies) FF8MR12W2M1B11BOMA1 | FF8MR12W2M1B11BOMA1 Inventory, Best Pricing

FF8MR12W2M1B11BOMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FF8MR12W2M1B11BOMA1
LIXINC Part #	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - arrays
Beschrijving	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FF8MR12W2M1B11BOMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FF8MR12W2M1B11BOMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - arrays
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolSiC™+
pakket:	Tray
onderdeel staat:	Active
fet type:	2 N-Channel (Dual)
fet-functie:	Silicon Carbide (SiC)
afvoer naar bronspanning (vdss):	1200V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	150A (Tj)
rds op (max) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
vgs(th) (max) @ id:	5.55V @ 60mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	372nC @ 15V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	11000pF @ 800V
vermogen - max:	20mW (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Chassis Mount
pakket / koffer:	Module
apparaatpakket leverancier:	AG-EASY2BM-2