SQJ912BEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQJ912BEP-T1_GE3 | SQJ912BEP-T1

SQJ912BEP-T1_GE3

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	SQJ912BEP-T1_GE3
LIXINC Part #	SQJ912BEP-T1_GE3
Fabrikant	Vishay / Siliconix
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - arrays
Beschrijving	MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	SQJ912BEP-T1_GE3 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

SQJ912BEP-T1_GE3 Specificaties

Onderdeel nummer:	SQJ912BEP-T1_GE3
Merk:	Vishay / Siliconix
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - arrays
Fabrikant:	Vishay / Siliconix
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	2 N-Channel (Dual)
fet-functie:	Standard
afvoer naar bronspanning (vdss):	40V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	30A (Tc)
rds op (max) @ id, vgs:	11mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	60nC @ 10V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	3000pF @ 25V
vermogen - max:	48W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	PowerPAK® SO-8 Dual
apparaatpakket leverancier:	PowerPAK® SO-8 Dual