BSG0811NDATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSG0811NDATMA1 | BSG0811NDATMA1 Inventory, Best Pricing

BSG0811NDATMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BSG0811NDATMA1
LIXINC Part #	BSG0811NDATMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - arrays
Beschrijving	MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BSG0811NDATMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BSG0811NDATMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	BSG0811NDATMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - arrays
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
fet type:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
fet-functie:	Logic Level Gate, 4.5V Drive
afvoer naar bronspanning (vdss):	25V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	19A, 41A
rds op (max) @ id, vgs:	3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	8.4nC @ 4.5V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	1100pF @ 12V
vermogen - max:	2.5W
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	8-PowerTDFN
apparaatpakket leverancier:	PG-TISON-8