2SA965-Y,T6F(J | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA965-Y,T6F(J

2SA965-Y,T6F(J

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	2SA965-Y,T6F(J
LIXINC Part #	2SA965-Y,T6F(J
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - bipolair (bjt) - enkelvoudig
Beschrijving	TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	2SA965-Y,T6F(J PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 10 - Oct 14 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

2SA965-Y,T6F(J Specificaties

Onderdeel nummer:	2SA965-Y,T6F(J
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - bipolair (bjt) - enkelvoudig
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Obsolete
transistor type:	PNP
stroom - collector (ic) (max):	800 mA
spanning - collector emitter doorslag (max):	120 V
vce verzadiging (max) @ ib, ic:	1V @ 50mA, 500mA
stroom - collectoruitschakeling (max):	100nA (ICBO)
gelijkstroomversterking (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 100mA, 5V
vermogen - max:	900 mW
frequentie - overgang:	120MHz
bedrijfstemperatuur:	150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
pakket / koffer:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
apparaatpakket leverancier:	LSTM