NSBA113EF3T5G | Rochester Electronics NSBA113EF3T5G | NSBA113EF3T5G Inventory, Best Pricing

NSBA113EF3T5G

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	NSBA113EF3T5G
LIXINC Part #	NSBA113EF3T5G
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - bipolair (bjt) - enkelvoudig, vooraf ingesteld
Beschrijving	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	NSBA113EF3T5G PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

NSBA113EF3T5G Specificaties

Onderdeel nummer:	NSBA113EF3T5G
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - bipolair (bjt) - enkelvoudig, vooraf ingesteld
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	-
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
transistor type:	PNP - Pre-Biased
stroom - collector (ic) (max):	100 mA
spanning - collector emitter doorslag (max):	50 V
weerstand - basis (r1):	1 kOhms
weerstand - emitterbasis (r2):	1 kOhms
gelijkstroomversterking (hfe) (min) @ ic, vce:	3 @ 5mA, 10V
vce verzadiging (max) @ ib, ic:	250mV @ 5mA, 10mA
stroom - collectoruitschakeling (max):	500nA
frequentie - overgang:	-
vermogen - max:	254 mW
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	SOT-1123
apparaatpakket leverancier:	SOT-1123