RN2707JE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2707JE(TE85L,F) | RN2707JE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

RN2707JE(TE85L,F)

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	RN2707JE(TE85L,F)
LIXINC Part #	RN2707JE(TE85L,F)
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - bipolair (bjt) - arrays, pre-biased
Beschrijving	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	RN2707JE(TE85L,F) PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 08 - Oct 12 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

RN2707JE(TE85L,F) Specificaties

Onderdeel nummer:	RN2707JE(TE85L,F)
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - bipolair (bjt) - arrays, pre-biased
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
transistor type:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
stroom - collector (ic) (max):	100mA
spanning - collector emitter doorslag (max):	50V
weerstand - basis (r1):	10kOhms
weerstand - emitterbasis (r2):	47kOhms
gelijkstroomversterking (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
vce verzadiging (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
stroom - collectoruitschakeling (max):	100nA (ICBO)
frequentie - overgang:	200MHz
vermogen - max:	100mW
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	SOT-553
apparaatpakket leverancier:	ESV