RN1903FE,LF(CT | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1903FE,LF(CT

RN1903FE,LF(CT

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	RN1903FE,LF(CT
LIXINC Part #	RN1903FE,LF(CT
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - bipolair (bjt) - arrays, pre-biased
Beschrijving	NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	RN1903FE,LF(CT PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 07 - Oct 11 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

RN1903FE,LF(CT Specificaties

Onderdeel nummer:	RN1903FE,LF(CT
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - bipolair (bjt) - arrays, pre-biased
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
transistor type:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
stroom - collector (ic) (max):	100mA
spanning - collector emitter doorslag (max):	50V
weerstand - basis (r1):	22kOhms
weerstand - emitterbasis (r2):	22kOhms
gelijkstroomversterking (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 10mA, 5V
vce verzadiging (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
stroom - collectoruitschakeling (max):	500nA
frequentie - overgang:	250MHz
vermogen - max:	100mW
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	SOT-563, SOT-666
apparaatpakket leverancier:	ES6