BZD27B8V2P-HE3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZD27B8V2P-HE3-18 | BZD27B8V2P-HE3-18 Inventory, Best Pricing

BZD27B8V2P-HE3-18

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BZD27B8V2P-HE3-18
LIXINC Part #	BZD27B8V2P-HE3-18
Fabrikant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categorie	discrete halfgeleider › diodes - zener - enkelvoudig
Beschrijving	DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219AB
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BZD27B8V2P-HE3-18 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 26 - Sep 30 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BZD27B8V2P-HE3-18 Specificaties

Onderdeel nummer:	BZD27B8V2P-HE3-18
Merk:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	diodes - zener - enkelvoudig
Fabrikant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	Automotive, AEC-Q101, BZD27B
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Active
spanning - zener (nom) (vz):	8.2 V
tolerantie:	-
vermogen - max:	800 mW
impedantie (max) (zzt):	2 Ohms
stroom - omgekeerde lekkage @ vr:	10 µA @ 3 V
spanning - vooruit (vf) (max) @ als:	1.2 V @ 200 mA
bedrijfstemperatuur:	-65°C ~ 175°C
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	DO-219AB
apparaatpakket leverancier:	DO-219AB (SMF)