1N4150W-HE3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N4150W-HE3-18

1N4150W-HE3-18

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	1N4150W-HE3-18
LIXINC Part #	1N4150W-HE3-18
Fabrikant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categorie	discrete halfgeleider › diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Beschrijving	DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	1N4150W-HE3-18 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Oct 20 - Oct 24 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

1N4150W-HE3-18 Specificaties

Onderdeel nummer:	1N4150W-HE3-18
Merk:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Fabrikant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Active
diodetype:	Standard
spanning - dc omgekeerd (vr) (max):	50 V
actueel - gemiddeld gerectificeerd (io):	200mA
spanning - vooruit (vf) (max) @ als:	1 V @ 200 mA
snelheid:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
omgekeerde hersteltijd (trr):	4 ns
stroom - omgekeerde lekkage @ vr:	100 nA @ 50 V
capaciteit @ vr, f:	2.5pF @ 0V, 1MHz
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	SOD-123
apparaatpakket leverancier:	SOD-123
bedrijfstemperatuur - knooppunt:	-55°C ~ 150°C