US1MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division US1MHE3_A/I

US1MHE3_A/I

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	US1MHE3_A/I
LIXINC Part #	US1MHE3_A/I
Fabrikant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categorie	discrete halfgeleider › diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Beschrijving	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	US1MHE3_A/I PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 22 - Sep 26 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

US1MHE3_A/I Specificaties

Onderdeel nummer:	US1MHE3_A/I
Merk:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Fabrikant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	Automotive, AEC-Q101
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Active
diodetype:	Standard
spanning - dc omgekeerd (vr) (max):	1000 V
actueel - gemiddeld gerectificeerd (io):	1A
spanning - vooruit (vf) (max) @ als:	1.7 V @ 1 A
snelheid:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
omgekeerde hersteltijd (trr):	75 ns
stroom - omgekeerde lekkage @ vr:	10 µA @ 1000 V
capaciteit @ vr, f:	10pF @ 4V, 1MHz
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	DO-214AC, SMA
apparaatpakket leverancier:	DO-214AC (SMA)
bedrijfstemperatuur - knooppunt:	-55°C ~ 150°C