VB20120SG-M3/4W | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VB20120SG-M3/4W

VB20120SG-M3/4W

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	VB20120SG-M3/4W
LIXINC Part #	VB20120SG-M3/4W
Fabrikant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categorie	discrete halfgeleider › diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Beschrijving	DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	VB20120SG-M3/4W PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jul 08 - Jul 12 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

VB20120SG-M3/4W Specificaties

Onderdeel nummer:	VB20120SG-M3/4W
Merk:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	diodes - gelijkrichters - enkelvoudig
Fabrikant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
diodetype:	Schottky
spanning - dc omgekeerd (vr) (max):	120 V
actueel - gemiddeld gerectificeerd (io):	20A
spanning - vooruit (vf) (max) @ als:	1.33 V @ 20 A
snelheid:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
omgekeerde hersteltijd (trr):	-
stroom - omgekeerde lekkage @ vr:	250 µA @ 120 V
capaciteit @ vr, f:	-
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
apparaatpakket leverancier:	TO-263AB
bedrijfstemperatuur - knooppunt:	-55°C ~ 150°C