BSP295E6327T | IR (Infineon Technologies) BSP295E6327T | BSP295E6327T Inventory, Best Pricing

BSP295E6327T

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BSP295E6327T
LIXINC Part #	BSP295E6327T
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BSP295E6327T PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 28 - Oct 02 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BSP295E6327T Specificaties

Onderdeel nummer:	BSP295E6327T
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	SIPMOS®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	60 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	1.8A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	4.5V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	300mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.8V @ 400µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	368 pF @ 25 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	1.8W (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	PG-SOT223-4
pakket / koffer:	TO-261-4, TO-261AA