TK100L60W,VQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK100L60W,VQ

TK100L60W,VQ

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	TK100L60W,VQ
LIXINC Part #	TK100L60W,VQ
Fabrikant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	TK100L60W,VQ PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Sep 28 - Oct 02 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

TK100L60W,VQ Specificaties

Onderdeel nummer:	TK100L60W,VQ
Merk:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	DTMOSIV
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	600 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	100A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	18mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 5mA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	360 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	15000 pF @ 30 V
fet-functie:	Super Junction
vermogensdissipatie (max):	797W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	150°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	TO-3P(L)
pakket / koffer:	TO-3PL